Elektronenstrahllithographie

JEOL JBX-3200MV

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JEOL JBX-3200MV

  • Hochleistungssystem für die Maskenbelichtung bis zu 28 nm Strukturgröße.
  • LaB6-Kathode mit Formstrahlelektronenoptik (shaped beam).
  • Schreibfeld 150 mm x 150 mm

Spezifikationen

Elektronen­quelle

LaB6-Emitter

Beschleu­nigungs­spannung

50 kV

Max. Strahl­durch­messer

< 1 µ x 1 µ

Substrat­größe

150 mm

Strahl­form

variabel

Ablenkung

Vector scan

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